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N0600N-S17-AY

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 628

数量 单价 合计
628+ 3.47659 2183.29977
  • 库存: 22000
  • 单价: ¥3.47659
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,183.30
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Ta)
  • 最大功耗 2W(Ta),20W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 36毫欧姆 @ 15A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29.8 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1380 pF@10 V
  • 包装/外壳 TO-220-3隔离接线片

N0600N-S17-AY 产品详情

N0600N-S17-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),N0600N-S17-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。N0600N-S17-AY价格参考¥3.476592,你可以下载 N0600N-S17-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询N0600N-S17-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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