- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通电阻
RDS(开启)=最大4.6 mΩ(VGS=10 V,ID=50 A)
•低输入电容
Cis=7730 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(DC)=±100 A
•符合RoHS
起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
•低导通电阻
RDS(开启)=最大4.6 mΩ(VGS=10 V,ID=50 A)
•低输入电容
Cis=7730 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(DC)=±100 A
•符合RoHS
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...