品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、120W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.32694 | 2250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.93918 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥4.41817 | 84000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.93918 | 2200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥3.11445 | 23832 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、115W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.32694 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.99520 | 17500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.95883 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.11445 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、115W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.32694 | 400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL MOSFET | ¥0.72429 | 45000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,121.44541 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.32694 | 300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.76391 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥4.41817 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥4.41817 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.48464 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK | ¥13.61665 | 59461 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.55823 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.08404 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.16892 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.02561 | 19257 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.91442 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.95078 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,376.94000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: MP-3A 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.02561 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.91442 | 添加到BOM 立即询价 |