品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK (3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 19800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN3333 (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 | 171000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.96804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.76512 | 2300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,912.80500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥10.79192 | 652 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.96804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 64A (Tc) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3Z) | ¥11.00921 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 1W（Ta），84W（Tc） 供应商设备包装: TO-251 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.00921 | 6430 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥1.23129 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold | ¥1.23129 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.37615 | 855000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.44858 | 463888 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,123.61828 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.44858 | 236147 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,123.61828 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 16伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Tc） 供应商设备包装: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold | ¥1.44858 | 19989 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,123.61828 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.44858 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,123.61828 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | ¥4.20088 | 7000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: SC-96-3, Thin Mini Mold 工作温度: 150摄氏度 | ¥1.44858 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,123.61828 | 添加到BOM 立即询价 |