品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIGNAL DEVICE | ¥1.44858 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3Z) | ¥8.25691 | 22000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.56628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta) 供应商设备包装: 8-DFN3333 (3.3x3.3) | ¥14.05123 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.94003 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥14.26851 | 6114 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.08249 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥14.34094 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: 8-LFPAK-iV 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.34094 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥14.34094 | 2333 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、120W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥3.47659 | 4687 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.27091 | 165000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.27091 | 7000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 | 140000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.95644 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.30132 | 21376 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.95644 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.54902 | 7350 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.25575 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.30132 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.95644 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥31.50662 | 22851 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.46305 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta） 最大功耗: 15W（Tc） 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.56822 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,841.07500 | 添加到BOM 立即询价 |