品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥9.41577 | 5868 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta）、156W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.31125 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.31125 | 立即购买 加入购物车 | |
 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥32.73791 | 368 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.43984 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.30132 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.95644 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 27.2W（Tc） 供应商设备包装: MP-3A 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.41577 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.69388 | 490000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥33.02762 | 5163 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.69388 | 468000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.95644 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），30W（Tc） 供应商设备包装: TO-251 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.76391 | 2174 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.76391 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 | 197615 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥14.99280 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.95644 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: 8-WPAK | ¥3.69388 | 188485 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | ¥3.69388 | 179000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 28W（Tc） 供应商设备包装: 8-WPAK | ¥3.69388 | 115327 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥33.89677 | 692 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,203.29018 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥15.21009 | 74000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK | ¥3.69388 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥15.21009 | 1367 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 |