品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.64946 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,163.74395 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、176W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥11.37135 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N & P CHANNEL MOSFET | ¥11.58864 | 2196 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥11.66107 | 254800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.61990 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、105W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥11.73350 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥11.73350 | 1886 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.09564 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36,286.92900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、105W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥12.16807 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、105W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥12.16807 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK | ¥12.38536 | 469509 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: 8-LFPAK-iV 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.38536 | 27500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.38536 | 15624 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.38536 | 9739 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.38536 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.38536 | 3399 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥6.51861 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥7.31533 | 111000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.96804 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta） 最大功耗: 15W（Tc） 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 | 80000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.96804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN3333 (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.96804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥7.53262 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 |