品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1W（Ta），102W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSON 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.54422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、200W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥34.04163 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.04163 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、250W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥28.24731 | 790 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.24731 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta），348W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥29.62346 | 744 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.62346 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 1.2W（Ta）、30W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥9.99520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.99520 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 1.2W（Ta）、30W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥9.99520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.99520 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta），348W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥31.94119 | 640 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.94119 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、105W（Tc） 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥11.44378 | 103 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.44378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 1W（Ta），138W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSON 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥14.34094 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.34094 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 1.2W（Ta）、38W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥11.00921 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.00921 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 1.2W（Ta）、38W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥11.00921 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.00921 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥19.62826 | 1899 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.73675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥19.84555 | 1361 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.01006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥19.84555 | 347 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.01006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥19.84555 | 280 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.01006 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta）、156W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥19.99040 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.99040 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M | ¥22.38056 | 23000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.29498 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 30A, 230V, 0.052OHM, N CHANNEL M | ¥22.59785 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta），348W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥36.50422 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.50422 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥22.95999 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.19934 | 添加到BOM 立即询价 |