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NP75P04YLG-E1-AY
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 1W(Ta),138W(Tc) 供应商设备包装: 8-HSON 工作温度: 175摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 14.34094 | 14.34094 |
2500+ | 6.45414 | 16135.37000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥14.34094
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.34
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 P-通道
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 工作温度 175摄氏度(TJ)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 140 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4800 pF @ 25 V
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- 最大功耗 1W(Ta),138W(Tc)
- 供应商设备包装 8-HSON
- 导通电阻 Rds(ON) 9.7毫欧姆 @ 37.5A, 10V
- 色彩/颜色 -
NP75P04YLG-E1-AY 产品详情
NP75P04YLG-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP75P04YLG-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP75P04YLG-E1-AY价格参考¥14.340942,你可以下载 NP75P04YLG-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP75P04YLG-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...