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NP70N04MUG-S18-AY

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、115W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 100

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  • 单价: ¥11.87836
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,187.84
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 90 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4900 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1.8W(Ta)、115W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5毫欧姆 @ 35A, 10V

NP70N04MUG-S18-AY 产品详情

NP70N04MUG-S18-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP70N04MUG-S18-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP70N04MUG-S18-AY价格参考¥11.878356,你可以下载 NP70N04MUG-S18-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP70N04MUG-S18-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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