品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK | ¥9.85034 | 60000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥15.93438 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.01006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥15.93438 | 9859 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.01006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.51861 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 供应商设备包装: LFPAK | ¥9.85034 | 19293 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.51861 | 9700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.85034 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: MP-3A 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.07924 | 33000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.77637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.51861 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥16.07924 | 23000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.77637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.85034 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 28.5W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.15167 | 1472 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.15167 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 | 182500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.40262 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.85034 | 3081 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥39.54623 | 3105 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.85034 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、66W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥6.51861 | 1600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH WPAK | ¥3.83874 | 27000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.40262 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.83874 | 4880 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.40262 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥42.00882 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 |