品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: 150摄氏度 | ¥42.22611 | 165 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.22611 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.29892 | 2475 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.29892 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta） 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.29892 | 2225 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.29892 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 82A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、143W（Tc） 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥15.64466 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,564.46640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 82A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、143W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: 175摄氏度 | ¥15.64466 | 50 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥782.23320 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 27.4W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥20.64227 | 905 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.64226 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥5.21489 | 918000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RF N-CHANNEL MOSFET | ¥5.21489 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.21489 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥5.21489 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 8-VSOF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.21489 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.21489 | 2720 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥5.28732 | 240000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.51265 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.28732 | 152980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.51265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 1W（Ta），29W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3Z) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.28732 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.51265 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.40675 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,220.25600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.43218 | 960000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.43218 | 432000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-VSOF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 | 56656 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.43218 | 25182 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 |