品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-LFPAK-iV 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥34.69349 | 17380 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.68993 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 28.5W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥15.28252 | 1547 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.40022 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥3.69388 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.69388 | 4450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥35.85236 | 14715 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.99366 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥6.44618 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.25536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 82A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、143W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥15.64466 | 5850 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK | ¥3.69388 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-PSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.44618 | 6963 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.25536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.44618 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.25536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 82A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、143W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥15.64466 | 1850 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥6.44618 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.25536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.85034 | 792000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.44618 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.25536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.85034 | 351000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 82A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、143W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 175摄氏度 | ¥15.64466 | 700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥37.08365 | 5107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,187.93523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.51861 | 816000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 |