品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 1W（Ta），138W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSON 工作温度: 175摄氏度 | ¥7.64445 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,111.11500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、84W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥14.63066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.63066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 1.05W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 | 12696 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3Z) | ¥7.89476 | 8000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥7.89476 | 2900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥7.89476 | 1828 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥7.89476 | 1293 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.03962 | 34909 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.73675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.03962 | 4799 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.73675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥17.52782 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.52782 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、84W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥18.17968 | 35 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.17968 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、84W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.54422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、200W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥34.11406 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.11406 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），23W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度 | ¥7.17047 | 1825 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.17047 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.31773 | 274583 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.21613 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER MOSFET | ¥2.31773 | 55000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.21613 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.31773 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.21613 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.46259 | 5500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.46259 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥31.66161 | 15 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥31.66161 | 立即购买 加入购物车 |