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HAT1043M-EL-E

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 1.05W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 275

数量 单价 合计
275+ 7.89476 2171.05927
  • 库存: 12696
  • 单价: ¥7.89476
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,171.06
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 最大功耗 1.05W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.4A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 750 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 3A, 4.5V
  • 色彩/颜色 -

HAT1043M-EL-E 产品详情

HAT1043M-EL-E所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HAT1043M-EL-E 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HAT1043M-EL-E价格参考¥7.894761,你可以下载 HAT1043M-EL-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HAT1043M-EL-E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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