特色
•高击穿电压VDSS=1500 V•高速开关•低驱动电流•无二次击穿•适用于开关调节器、DC-DC转换器和电机驱动器
应用高速电源开关
2SK1317-E
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 31.66161 | 31.66161 |
- 库存: 15
- 单价: ¥31.66161
-
数量:
- +
- 总计: ¥31.66
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 15伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 漏源电压标 (Vdss) 1500伏
- 供应商设备包装 TO-3P
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Ta）
- 最大功耗 100W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 990 pF@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 12欧姆@2A，15V
- 色彩/颜色 银
2SK1317-E 产品详情
瑞萨电子150V及以上N沟道高压MOSFET
2SK1317-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SK1958-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET | ¥0.44971 |
| 2SK1581-T1B-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN | ¥1.17284 |
| 2SK3377-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥5.55827 |
| 2SK2054-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2054 - SWITCHING P-CHANNEL PO | ¥5.56219 |
| 2SK3435-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥17.40049 |
| 2SK3435-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥17.40049 |
| 2SK3431-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥19.13277 |
| 2SK2461-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF | ¥19.96158 |
| 2SK3447TZ-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL | ¥2.75629 |
| 2SK3455B-S17-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P | ¥22.44698 |
2SK1317-E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK1317-E 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK1317-E价格参考￥31.661613，你可以下载 2SK1317-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK1317-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
