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NP50P04SDG-E1-AY
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.2W(Ta)、84W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 13.54422 | 13.54422 |
2500+ | 7.68073 | 19201.83250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.54422
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.54
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
- 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 工作温度 175摄氏度(TJ)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@10 V
- 供应商设备包装 TO-252 (MP-3ZK)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5000 pF @ 10 V
- 最大功耗 1.2W(Ta)、84W(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 9.6毫欧姆 @ 25A, 10V
- 色彩/颜色 -
NP50P04SDG-E1-AY 产品详情
NP50P04SDG-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP50P04SDG-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP50P04SDG-E1-AY价格参考¥13.544223,你可以下载 NP50P04SDG-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP50P04SDG-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...