品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、90W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥18.39697 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.39697 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SWITCHING N AND P TRANSISTORS | ¥10.64706 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.73755 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,687.77000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,850.63338 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,850.63338 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,844.18720 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.78594 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,929.68000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,850.48852 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 供应商设备包装: SC-62 | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,080.59545 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.60744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥435.44315 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.88270 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,706.75250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.25451 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.25451 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.44858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,123.61828 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.81073 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,814.34645 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥1.81073 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 1.5W（Ta）、213W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-3 工作温度: 150摄氏度 | ¥35.05564 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.05564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、200W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥21.65917 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,327.33440 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、176W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥23.68428 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.68428 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥23.75671 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,399.42791 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta），348W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥39.18409 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.18409 | 添加到BOM 立即询价 |