NP50P06KDG-E1-AY是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。
特色
•超低导通电阻
RDS(开)1=最大17 mΩ。(VGS=−10 V,ID=−25 A)
RDS(开)2=23 mΩ最大值。(VGS=−4.5 V,ID=−25 A)
•低输入电容
Cis=5000 pF典型值。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 18.39696 | 18.39696 |
10+ | 16.55002 | 165.50027 |
100+ | 13.30448 | 1330.44830 |
800+ | 10.93098 | 8744.78800 |
1600+ | 9.48298 | 15172.77440 |
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NP50P06KDG-E1-AY是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。
•超低导通电阻
RDS(开)1=最大17 mΩ。(VGS=−10 V,ID=−25 A)
RDS(开)2=23 mΩ最大值。(VGS=−4.5 V,ID=−25 A)
•低输入电容
Cis=5000 pF典型值。
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...