- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
RJK0355DSP-00#J0
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 3.88270 | 9706.75250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.88270
-
数量:
- +
- 总计: ¥9,706.75
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大功耗 1.8W（Ta）
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 860 pF @ 10 V
- 供应商设备包装 8-SOP
- 导通电阻 Rds(ON) 11.1毫欧姆@6A，10V
RJK0355DSP-00#J0 产品详情
RJK0355DSP-00#J0 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| RJK0601DPN-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60 | ¥23.65241 |
| RJK6013DPP-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA | ¥32.54039 |
| RJK5013DPP-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJK5013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA | ¥32.99308 |
| RJK1003DPP-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJK1003DPP - N-CHANNEL MOSFET 10 | ¥16.0444 |
| RJK5014DPP-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA | ¥36.23167 |
 | RJK5034DPP-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220 | ¥9.8938 |
RJK0355DSP-00#J0所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RJK0355DSP-00#J0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJK0355DSP-00#J0价格参考￥3.882701，你可以下载 RJK0355DSP-00#J0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJK0355DSP-00#J0规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
