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2SJ355-T1-AZ

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 供应商设备包装: SC-62
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 542

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  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,080.60
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 包装/外壳 至243AA
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 1A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300 pF @ 10 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.2 nC@10 V
  • 供应商设备包装 SC-62

2SJ355-T1-AZ 产品详情

描述

2SJ355是一个垂直型P沟道MOS FET,是一个开关元件,可以由工作在5V的IC的输出直接驱动。

该产品具有低导通电阻和出色的开关特性,是驱动致动器和DC/DC转换器的理想选择。

特征

•可直接由5V IC驱动

•低导通电阻RDS(开)=0.60Ω 最大@VGS=–4 V,ID=–1.0 A RDS(开启)=0.35Ω 最大@VGS=–10 V,ID=–1.0 A

2SJ355-T1-AZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2SJ355-T1-AZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2SJ355-T1-AZ价格参考¥3.838737,你可以下载 2SJ355-T1-AZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2SJ355-T1-AZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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