品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、250W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: 175摄氏度 | ¥26.36416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.36416 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 1.2W（Ta）、84W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度 | ¥16.00681 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.00681 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥27.08845 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.08845 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 84W (Ta) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3Z) 工作温度: 150摄氏度 | ¥16.22410 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.22410 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥13.25451 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.25451 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.76512 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,912.80500 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.63546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥315.21101 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥3.47659 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,818.25762 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.46695 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,167.37500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.39937 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.39937 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.47659 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥260.74440 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.64668 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,940.04600 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.64946 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.94839 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥13.54422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.58791 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,469.76750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.58791 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,469.76750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.58791 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,469.76750 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥7.02561 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,222.45666 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.74543 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,236.29000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.61905 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.76275 | 添加到BOM 立即询价 |