- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
RJK0330DPB-01#J0
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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数量 | 单价 | 合计 |
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2500+ | 8.58790 | 21469.76750 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 SC-100,SOT-669
- 最大功耗 55W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V
- 供应商设备包装 LFPAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4300 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 22.5A、10V时为2.7毫欧姆
RJK0330DPB-01#J0 产品详情
RJK0330DPB-01#J0所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RJK0330DPB-01#J0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RJK0330DPB-01#J0价格参考¥8.587907,你可以下载 RJK0330DPB-01#J0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RJK0330DPB-01#J0规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...