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NP90N04VUK-E1-AY
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.39936 | 13.39936 |
| 10+ | 12.05218 | 120.52186 |
| 100+ | 9.69027 | 969.02760 |
| 500+ | 7.96125 | 3980.62550 |
| 1000+ | 6.90661 | 6906.61200 |
| 2500+ | 6.90661 | 17266.53000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.39937
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.40
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 工作温度 175摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 90A (Tc)
- 供应商设备包装 TO-252
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 102 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5850 pF @ 25 V
- 最大功耗 1.2W（Ta）、147W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.8毫欧姆@45A，10V
NP90N04VUK-E1-AY 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | NP90N055VDG-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、105W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥11.7335 |
 | NP90N04VDG-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、105W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥12.16807 |
 | NP90N04VLG-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、105W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥12.16807 |
 | NP90N055VUK-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.25451 |
 | NP90N06VDK-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥13.25451 |
| NP90N06VLK-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥13.39937 |
| NP90N04VUK-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.39937 |
| NP90N04VDK-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥13.54422 |
| NP90N04VLK-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥7.18481 |
NP90N04VUK-E1-AY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NP90N04VUK-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NP90N04VUK-E1-AY价格参考￥13.399365，你可以下载 NP90N04VUK-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NP90N04VUK-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
