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RBA160N04AHPF-4UA01#GB0

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、250W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: 175摄氏度
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 26.36415 26.36415
10+ 23.64806 236.48069
25+ 22.35448 558.86217
80+ 19.37388 1549.91104
230+ 18.37994 4227.38735
800+ 16.49230 13193.84080
1600+ 15.08326 24133.22720
  • 库存: 0
  • 单价: ¥26.36416
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.36
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 供应商设备包装 TO-263-7
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 工作温度 175摄氏度
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 160A(Tc)
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6引线+接线片),TO-263CB
  • 最大功耗 1.8W(Ta)、250W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13200 pF@25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 236 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.25毫欧姆@80A,10V
  • 材质 -

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 产品详情

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RBA160N04AHPF-4UA01#GB0价格参考¥26.364156,你可以下载 RBA160N04AHPF-4UA01#GB0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RBA160N04AHPF-4UA01#GB0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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