品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta）、156W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.15407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,923.25280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,158.86400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、90W（Tc） 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥20.28012 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.28012 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSON 工作温度: 175摄氏度 | ¥4.81407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,035.16500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta），56W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥10.71949 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.71949 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、147W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZP) 工作温度: 175摄氏度 | ¥7.18481 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,962.03000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta）、119W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（DPak） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.92325 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,138.60240 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.92687 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,817.16250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.95078 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,376.94000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL MOSFET | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.95078 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,376.94000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta） 最大功耗: 10W（Tc） 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | GENERAL SWITCHING POWER MOSFET | ¥3.69388 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥480.20427 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），36W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.86435 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.86435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、115W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥11.87836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,187.83560 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 34.7W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥53.16289 | 27 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.16289 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 227.2W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PSG 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥57.58106 | 66 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.58106 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥4.92517 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥192.08171 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.38776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.05363 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,593.43800 | 添加到BOM 立即询价 |