–超结MOSFET
–导通电阻低
–高速切换
RJK60S7DPP-E0#T2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 34.7W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 53.16288 | 53.16288 |
| 10+ | 45.13051 | 451.30510 |
- 库存: 27
- 单价: ¥53.16289
-
数量:
- +
- 总计: ¥53.16
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-220FP
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@15A，10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +30V、-20V
- 场效应管特性 超级结
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2300 pF@25 V
- 最大功耗 34.7W (Tc)
RJK60S7DPP-E0#T2 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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RJK60S7DPP-E0#T2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RJK60S7DPP-E0#T2 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJK60S7DPP-E0#T2价格参考￥53.162886，你可以下载 RJK60S7DPP-E0#T2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJK60S7DPP-E0#T2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
