NP100P06PLG-E1是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。
特色
•超低导通电阻
RDS(开)1=6.0 mΩ最大值(VGS=−10 V,ID=−50 A)
RDS(开启)2=7.8 mΩ最大值(VGS=−4.5 V,ID=−50 A)
•高电流额定值:ID(DC)=m100 A
•内置栅极保护二极管
起订量: 800
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
800+ | 21.65916 | 17327.33440 |
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NP100P06PLG-E1是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。
•超低导通电阻
RDS(开)1=6.0 mΩ最大值(VGS=−10 V,ID=−50 A)
RDS(开启)2=7.8 mΩ最大值(VGS=−4.5 V,ID=−50 A)
•高电流额定值:ID(DC)=m100 A
•内置栅极保护二极管
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...