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NP50P06SDG-E1-AY

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.2W(Ta)、84W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.63065 14.63065
10+ 13.17483 131.74835
100+ 10.58912 1058.91200
500+ 8.70017 4350.08550
1000+ 7.54768 7547.68100
2500+ 5.58717 13967.93250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.63066
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.63
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@10 V
  • 供应商设备包装 TO-252 (MP-3ZK)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5000 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 16.5毫欧姆@25A,10V
  • 最大功耗 1.2W(Ta)、84W(Tc)
  • 色彩/颜色 黑色

NP50P06SDG-E1-AY 产品详情

NP50P06SDG-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP50P06SDG-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP50P06SDG-E1-AY价格参考¥14.630658,你可以下载 NP50P06SDG-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP50P06SDG-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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