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2SK3480-AZ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、84W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.17967 18.17967
10+ 16.31825 163.18254
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  • 单价: ¥18.17968
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.18
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 供应商设备包装 TO-220AB
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 部件状态 上次购买
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 74 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3600 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 31毫欧姆 @ 25A, 10V
  • 最大功耗 1.5W(Ta)、84W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

2SK3480-AZ 产品详情

  • 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
  • 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性

特色

超低导通状态电阻:RDS(开启)1=31 m MAX.(VGS=10 V,ID=25 A)RDS(打开)2=36 m MAX。内置栅极保护二极管

2SK3480-AZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2SK3480-AZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2SK3480-AZ价格参考¥18.179679,你可以下载 2SK3480-AZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2SK3480-AZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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