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NP100P04PDG-E1-AY

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、200W(Tc) 供应商设备包装: TO-263 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 34.11405 34.11405
10+ 30.65919 306.59196
100+ 25.12199 2512.19990
800+ 21.38567 17108.54080
1600+ 19.55865 31293.84800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥34.11406
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.11
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 320 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 TO-263
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@50A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15100 pF@10 V
  • 最大功耗 1.8W(Ta)、200W(Tc)

NP100P04PDG-E1-AY 产品详情

NP100P04PDG-E1-AY是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。

特色


•超低导通电阻
RDS(开)1=3.5 mΩ最大值(VGS=−10 V,ID=−50 A)
RDS(开启)2=最大5.1 mΩ(VGS=−4.5 V,ID=−50 A)
•高电流额定值:ID(DC)=m100 A

NP100P04PDG-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP100P04PDG-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP100P04PDG-E1-AY价格参考¥34.114059,你可以下载 NP100P04PDG-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP100P04PDG-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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