NP100P04PDG-E1-AY是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。
特色
•超低导通电阻
RDS(开)1=3.5 mΩ最大值(VGS=−10 V,ID=−50 A)
RDS(开启)2=最大5.1 mΩ(VGS=−4.5 V,ID=−50 A)
•高电流额定值:ID(DC)=m100 A
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 34.11405 | 34.11405 |
10+ | 30.65919 | 306.59196 |
100+ | 25.12199 | 2512.19990 |
800+ | 21.38567 | 17108.54080 |
1600+ | 19.55865 | 31293.84800 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
NP100P04PDG-E1-AY是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。
•超低导通电阻
RDS(开)1=3.5 mΩ最大值(VGS=−10 V,ID=−50 A)
RDS(开启)2=最大5.1 mΩ(VGS=−4.5 V,ID=−50 A)
•高电流额定值:ID(DC)=m100 A
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...