品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥6.08404 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.16892 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.08404 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.16892 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-LFPAK-iV 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.83394 | 2365 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.92842 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 1578000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥4.56303 | 51000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 266941 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING | ¥4.56303 | 33000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 195000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 182230 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 96000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥7.17047 | 594000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.15647 | 50000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥4.56303 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥14.05123 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.94003 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN3333 (3.3x3.3) | ¥4.56303 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 28.5W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.42978 | 40100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥6.15647 | 36000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥7.17047 | 5876 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET | ¥7.17047 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.48224 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、75W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-3 工作温度: 175摄氏度 | ¥12.16807 | 2150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 |