RJK03M5DNS-00#J5

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 包装/外壳 8-PowerWDFN
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.4 nC@4.5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1890 pF@10 V
• 最大功耗 15W（Tc）
• 供应商设备包装 8-HWSON (3.3x3.3)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Ta）
• 导通电阻 Rds(ON) 6.3毫欧姆 @ 12.5A, 10V