品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥18.54182 | 2189 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,187.93523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥5.79432 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER MOSFET | ¥4.34574 | 50000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥18.68668 | 11000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.34179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK (3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.74937 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,248.10700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 637500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），20W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.79432 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.89236 | 267500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.47419 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.86760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥4.34574 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL, MOSFETS | ¥80.39619 | 1673 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,251.09332 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.89236 | 37500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.79432 | 1300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.89236 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN3333 (3.3x3.3) | ¥4.34574 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.80833 | 17500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥81.77234 | 218 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,207.85321 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥82.93121 | 202 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.58791 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,469.76750 | 添加到BOM 立即询价 |