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FQN1N50CBU

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 380毫安 (Tc) 最大功耗: 890mW (Ta), 2.08W (Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1374

数量 单价 合计
1374+ 1.59343 2189.38381
  • 库存: 4447
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    - +
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 供应商设备包装 TO-92-3
  • 包装/外壳 至226-3,至92-3(至226AA)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 380毫安 (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6欧姆 @ 190毫安, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 195 pF@25 V
  • 最大功耗 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商

FQN1N50CBU 产品详情

该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

特色

  • 0.38A,500V,RDS(开启)=6Ω(最大值)@VGS=10 V,ID=0.19A
  • 低栅极电荷(典型值4.9nC)
  • 低铬(典型值4.1pF)
  • 100%雪崩测试

应用

  • 照明
FQN1N50CBU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQN1N50CBU 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQN1N50CBU价格参考¥1.593438,你可以下载 FQN1N50CBU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQN1N50CBU规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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