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FQD6N60CTM_WS带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.009184盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供80 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为45纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
FQD6N60CTM是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 4A DPAK。FQD6N60CTM采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 4A DPak、N通道600V 4A（Tc）80W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET N-CH600V 4A 3-Pin（2+接线片）DPak T/R。
FQD6P25，电路图由FSC制造。FQD6P25在TO252封装中提供，是FET的一部分-单个。
