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FDT458P是MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷盘封装。FDT458P_NL中使用的数据表注释中显示了零件别名，提供单位重量功能，如0.006632盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-223-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，通道数为1通道，该器件采用单双漏极配置，该器件具有1个晶体管型P通道，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为12.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为130 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为11 ns，典型接通延迟时间为4.5 ns，正向跨导最小值为3 S，沟道模式为增强型。
FDT458P-NL，带有FSC制造的用户指南。FDT458P-NL采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
FDT459，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDT459在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
