NVHL020N090SC1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 118A(Tc) 最大功耗: 503W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 243.28901 | 243.28901 |
10+ | 224.38504 | 2243.85042 |
100+ | 208.11821 | 20811.82130 |
- 库存: 443
- 单价: ¥243.28901
-
数量:
- +
- 总计: ¥243.29
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规格参数
- 宽(英寸) -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.3V @ 20毫安
- 漏源电压标 (Vdss) 900 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 118A(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@60A,15V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 196 nC@15 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +19伏、-10伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4415 pF @ 450 V
- 最大功耗 503W (Tc)
NVHL020N090SC1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVHL020N090SC1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVHL020N090SC1价格参考¥243.289011,你可以下载 NVHL020N090SC1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVHL020N090SC1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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