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FDZ191P是MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001905盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-UFBGA、WLCSP以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的6-WLCSP，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为900mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为800pF@10V，FET特性为逻辑电平门，1.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为85mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10ns，上升时间为10s，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为67mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为11ns，并且前向跨导Min为7S，并且信道模式为增强。
FDZ1905PZ是MOSFET 2P-CH 6-WLCSP，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在8 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.00105 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，以及143 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的6-WLCSP，系列为PowerTrenchR，上升时间为36 ns，Rds On Max Id Vgs为126 mOhm@1A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为123 mOhm，Power Max为900mW，Pd功耗为1.5 W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-UFBGA，WLCSP，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为-3A，FET类型为2P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为36ns，配置为双公共漏极，沟道模式为增强。
FDZ193P是MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP，包括增强信道模式，它们设计用于单双漏三源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于10ns，提供正向跨导最小特性，如5.6S，Id连续漏电流设计用于3A，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1个通道数量的通道，器件具有WLCSP-6封装盒，封装为卷筒，Pd功耗为1.5 W，漏极电阻Rds为66 mOhms，上升时间为10 ns，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为13ns，单位重量为0.001905oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为12V。
