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FQD3N40TF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 802

数量 单价 合计
802+ 2.67987 2149.25814
  • 库存: 26408
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,149.26
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 400伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-252,(D-Pak)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.4欧姆@1A、10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 230 pF@25 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、30W(Tc)

FQD3N40TF 产品详情

FQD3N40TF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD3N40TF 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD3N40TF价格参考¥2.679873,你可以下载 FQD3N40TF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD3N40TF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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