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FQD5P20TM是MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK，包括卷筒封装，它们设计用于FQD5P20TM_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为-3.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为12 ns，典型接通延迟时间为9 ns，正向跨导最小值为2.2 S，沟道模式为增强。
FQD60N03，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD60N03采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分。
FQD60N03L，电路图由FSC制造。FQD60N03L采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
