9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN62D0SFD-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN62D0SFD-7参考价格为0.52000美元。Diodes Incorporated DMN62D0SFD-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN。您可以下载DMN62D0SFD-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN62D0LFD-7带有引脚细节，包括DMN62系列，它们设计为使用卷筒包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如X1-DFN1212-3，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供480 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.7 ns，上升时间为2.1 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为310 mA，且Vds漏极-源极击穿电压为60V，且Vgs栅极-源极阈值电压为1V，且Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为18ns，且典型接通延迟时间为2.6ns，且Qg栅极电荷为500pC，且正向跨导最小值为1.8S，且沟道模式为增强。
DMN62D0LFB-7是MOSFET MOSFET BVDSS:41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，该器件也可以用作DMN62系列。此外，Rds漏极-源极电阻为3欧姆，器件提供0.45 nC Qg栅极电荷，器件具有0.47 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为X1-DFN1006-2，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为100 mA，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN61D9UW-13，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN62D9U，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
