UPA2713GR-E1-A

说明
µPA2713GR是P沟道MOS场效应晶体管，专为笔记本电脑和锂离子电池保护电路的电源管理应用而设计。
特征
•低导通电阻
RDS（开启）1=16 mΩ 最大值（VGS=−10 V，ID=−4.0 A）
RDS（开启）2=25 mΩ 最大值（VGS=−4.5 V，ID=−4.0 A）
RDS（开启）3=30 mΩ 最大值（VGS=−4.0 V，ID=−4.0 A）
•低Cis：Cis=1600 pF典型值。

•小型表面安装组件（Power SOP8）

绝对最大额定值（TA=25°C，所有端子均已连接。）
漏极至源极电压（VGS=0 V）VDSS−30 V
栅源电压（VDS=0 V）VGSS m20 V
漏极电流（DC）ID（DC）m8 A
漏极电流（脉冲）注1 ID（脉冲）m32 A
总功耗注2 PT1 2 W
总功耗注3 PT2 2 W
通道温度Tch 150°C
储存温度Tstg−55至+150°C
单雪崩电流注释4 IAS 8 A
单雪崩能量Note4 EAS 6.4 mJ