9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FQD8N25TF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQD8N25TF参考价格为0.46000美元。其他FQD8N25TF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK。您可以下载FQD8N25TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD7P20TM是MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK，包括QFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。FQD7P20TM_NL中使用的数据表注释中显示了零件别名，提供单位重量功能，如0.009184 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252-3，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为770pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.7A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为690mOhm@2.85A、10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为42纳秒，上升时间为110纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为-5.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds漏极源极电阻为690毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30纳秒，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导Min为3.7S，信道模式为增强。
FQD7P20TM-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD7P20TM-NL采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
FQD8910，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD8910采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
FQD8N25是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK。FQD8N25采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 250V 6.2A DPak。
