FQU20N06LTU

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 安装类别 通孔
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
• 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
• 供应商设备包装 I-PAK
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC @ 5 V
• 最大功耗 2.5W（Ta）、38W（Tc）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 17.2A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 8.6A, 10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 630 pF @ 25 V