这种低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于各种开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
特色
- 低阈值
- 高输入阻抗
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 低导通电阻
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏
- 互补N沟道和P沟道器件
TN5335K1-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110毫安（Tj） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.06438 | 5.06438 |
| 30+ | 4.44243 | 133.27299 |
| 100+ | 3.89687 | 389.68760 |
| 500+ | 3.29836 | 1649.18300 |
| 1000+ | 2.99851 | 2998.51700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.06438
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.06
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大功耗 360mW (Ta)
- 漏源电压标 (Vdss) 350伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 110 pF@25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 110毫安（Tj）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 3V、10V
- 导通电阻 Rds(ON) 200毫安、10V时为15欧姆
- 供应商设备包装 SOT-23 (TO-236AB)
TN5335K1-G 产品详情
TN5335K1-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TN5015H-6G | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 50 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 30 A 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.87266 |
 | TN5015H-6T | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 50 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 30 A 供应商设备包装: TO-220AB Insulated 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.29285 |
 | TN5015H-6I | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 50 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 30 A 供应商设备包装: TO-220AB Insulated 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.13361 |
 | TN5015H-6G-TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 50 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 30 A 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥31.12899 |
 | TN5050H-12PI | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 1200伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 40 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 25 A 供应商设备包装: TOP3 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥24.84315 |
 | TN5050H-12WY | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 1.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 80 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 51 A 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥47.948 |
 | TN5415A | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 200伏 最大功率: 1 W 供应商设备包装: TO-226-3 | ¥0.36215 | |
 | TN5415A | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 200伏 最大功率: 1 W 供应商设备包装: TO-226-3 | ¥3.44762 |
| TN5C4DBC | 透照度 (Dialight) | LED LIGHT TUNNEL RETROFIT | ¥1.30372 |
| TN5050H-12WL | LINEAR IC'S | ¥0.00 |
TN5335K1-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TN5335K1-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TN5335K1-G价格参考￥5.064381，你可以下载 TN5335K1-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TN5335K1-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
