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STD7N60M2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.81993 12.81993
10+ 11.46551 114.65511
100+ 8.93701 893.70140
500+ 7.38268 3691.34400
1000+ 6.18167 6181.67000
2500+ 6.18167 15454.17500
  • 库存: 2500
  • 单价: ¥11.66107
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.82
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功耗 60W (Tc)
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 950毫欧姆@2.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 271 pF@100 V
  • 色彩/颜色 -

STD7N60M2 产品详情

这些器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适合于要求最高的高效率转换器。

特色

  • 极低门电荷
  • 卓越的输出容量(COSS)曲线
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护
STD7N60M2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STD7N60M2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STD7N60M2价格参考¥11.661069,你可以下载 STD7N60M2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STD7N60M2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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