这些器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适合于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 卓越的输出容量(COSS)曲线
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.81993 | 12.81993 |
10+ | 11.46551 | 114.65511 |
100+ | 8.93701 | 893.70140 |
500+ | 7.38268 | 3691.34400 |
1000+ | 6.18167 | 6181.67000 |
2500+ | 6.18167 | 15454.17500 |
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这些器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适合于要求最高的高效率转换器。
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