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NTHD5904T1是MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-SMD扁平引线封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在CHIPFET？中工作？，除了2 N沟道（双）FET类型外，该器件还可以用作1.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供逻辑电平门FET功能，该器件具有3.1A电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为75mOhm@3.1A，4.5V，Vgs最大Id为600mV@250μa，栅极电荷Qg Vgs为6nC@4.5V。
NTHD5904NT1是ON公司制造的MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET。NTHD5904 NT1采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH20V 2.5A CHIPFET，N沟道20V 2.5A（Ta）640mW（Ta）表面安装CHIPFET？。
NTHD5904NT1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET。NTHD5904 NT1G可提供8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH20V 2.5A CHIPFET，N沟道20V 2.5A（Ta）640mW（Ta）表面安装CHIPFET？，Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 8引脚片式FET T/R。
