9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SP8K5TB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SP8K5TB价格参考1.62美元。Rohm Semiconductor SP8K5TB封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC。您可以下载SP8K5TB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SP8K5FU6TB是MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于0.030018盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），该技术设计用于硅，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-SOP供应商设备包中提供，该设备具有双双漏极配置，FET类型为2 N信道（双），最大功率为2W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为140pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.5A，最大Id Vgs的Rds为83 mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为3.5nC@5V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为83mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
SP8K51 E00TB，带有ROHM制造的用户指南。SP8K51 E00TB采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SP8K5T，电路图由ROHM制造。SP8K5T采用SOP-8封装，是FET阵列的一部分。
