9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SP8M3TB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SP8M3TB参考价格为44.638美元。Rohm Semiconductor SP8M3TB封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC。您可以下载SP8M3TB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SP8M3FU6TB是MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC，包括SP8M3系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.030018盎司，提供SMD/SMT、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOP，配置为双双漏极，FET类型为N和P通道，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为230pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为5A、4.5A，最大Id Vgs为51 mOhm@5A、10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为5.5nC@5V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns 25 ns，上升时间为8ns 25ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为22ns 60ns，典型导通延迟时间为6ns 10ns，沟道模式为增强型。
SP8M3FD5TB，带有ROHM制造的用户指南。SP8M3FD5TB采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SP8M3FD5TB1，电路图由ROHM制造。SP8M3FD5TB1采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
